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存儲IC的特點(diǎn)，具有體積小，重量輕，引出線和焊接點(diǎn)少，壽命長，可靠性高，性能好等優(yōu)點(diǎn)，同時成本低，便于大規(guī)模生產(chǎn)。

靜態(tài)RAM是靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來記憶信息的；動態(tài)RAM是靠Mos電路中的柵極電容來記憶信息的。由于電容上電荷會泄漏，需要定時給予補(bǔ)充，所以動態(tài)RAM要設(shè)置刷新電路，但它比靜態(tài)RAM集成度高、功耗低，從而成本也低，適于作大容量存儲器。所以主內(nèi)存通常采用動態(tài)RAM，而高速緩沖存儲器則使用靜態(tài)RAM。